El nuevo diseño, heredero de las memorias Flash de puerta flotante, usa una memoria basada en nanocristales.

Los actuales procesadores pueden tener transistores de un tamaño de nanómetros gracias, en cierto sentido, al bajo voltaje al que trabajan. Las memorias Flash, sin embargo, no pueden beneficiarse de estos adelantos, pues si sus elementos se redujesen hasta el mismo tamaño generarían demasiado calor al funcionar y se dañarían. Esto es debido a que su voltaje de trabajo es de entre 9 y 12 voltios, frente a los 1,2-2,2 voltios de los procesadores actuales.

Motorola, sin embargo, ha conseguido soslayar el problema gracias a un nuevo diseño de celda de memoria basada en nanocristales de silicio. Una vista del dispositivo recuerda a una serie de esferas de 50 nanómetros de diámetro encerradas entre dos capas de óxido de silicio. Estas esferas están diseñadas para retener la carga eléctrica y evitar su pérdida hacia otras partes del chip. Actúan así como elementos de memoria.

Motorola ha desarrollado un chip de demostración de 4 Megabits, sobre obleas (waffers) de 200mm de diámetro y usando técnicas de fabricación de 90 nanómetros convencionales. Su próximo objetivo es reducir aún más el diseño y ajustar más las especificaciones de cara a una futura comercialización en torno a 2004, como sucesor de las actuales memorias Flash.

Las memorias Flash son usadas masivamente en dispositivos como cámaras digitales, reproductores MP3 portátiles, PDAs, etc. por lo que un aumento de capacidad en estas memorias implica una mejora significativa de todos estos dispositivos.

Fuente: CPU Planet (en inglés).