OCZ ha revelado algunos detalles de sus trucos que permiten a la memoria trabajar de forma más eficiente con latencias relativamente altas. Estos podrían resolver el problema del aprovechamiento eficiente del ancho de banda de la memoria sin disparar la relación coste-eficiencia de los chips y módulos DRAM.

La tecnología Enhanced Bandwidth (EB) es un conjunto de trucos para mejorar el ancho de banda de la memoria mediante la optimización de las latencias para conseguir una buena interacción entre la memoria del sistema y el controlador de memoria. Gracias a profundos análisis del tráfico de memoria y de los resultados de pruebas bajo diversas condiciones, definidas por diversas configuraciones de latencias puestas en el setup de la BIOS, OCZ ha sido capaz de detectar los cuellos de botella relevantes para la mejora del rendimiento. También se ha descubierto que algunas aseveraciones comunes sobre las latencias eran falsas. Gracias a estos descubrimientos, OCZ ha rediseñado y optimizado sus dispositivos de memoria para que ofrezcan el mayor ancho de banda posible en cualquier sistema.

La tecnología EB desmonta la creencia clásica de que una latencia CAS elevada es el principal factor que reduce el ancho de banda. Los ingenieros de OCZ han demostrado que reducir los ciclos de latencia del retardo precharge-to-activate y del retardo RAS-to-CAS, junto con el uso de la característica Early Read Command de las memorias DDR, puede permitir un mayor ancho de banda.

"La tecnología Enhanced Bandwidth es una gran mejora que, con valores de 2'5-2-3 (CL-tRP-tRCD) para la latencia, permite a la mayoría de las aplicaciones conseguir anchos de banda iguales que los ofrecidos por módulos CL2" ha indicado Michael Schuette, director de desarrollo de OCZ.

Los chips y módulos de memoria capaces de trabajar a mayores frecuencias en CL2 suelen costar mucho más que los módulos DRAM de alta velocidad con mayor latencia CAS.

OCZ ha lanzado varios nuevos productos en su gama Platinum que incluyen EB. En concreto, ofrece módulos de memoria DDR sin bufferes a 400 y 433MHz de 256 MB, 512 MB y 1 GB. También ofrece parejas de módulos DDR en kits de 512 MB (2x256), 1GB (2x512) y 2GB (2x1024).