AMD ha hecho varios comentarios sobre el futuro de sus chips, y como influirá su nueva fábrica de Dresden, Alemania, la cual produce obleas de 300 milímetros. Es en ella, precisamente, donde AMD comenzará su producción de chips de 90 y 65 nanómetros.

La actual técnica de fotolitografía, empleada en la grabación de las distintas superficies de un chip, tiene sus limitaciones. Los efectos de difracción, que permiten mejorar las estructuras con finas barras o similares, tienen el inconveniente de que hacen más dificultosa la localización de efectos en la superficie.

AMD se enfrenta con los mismos problemas que el resto de fabricantes de semiconductores; los detalles de menor tamaño de los nuevos chips fabricados en 65 o 45 nanómetros necesitan de algunas nuevas ideas para refinar las técnicas actuales. Sin embargo, el paso a 32 nanos, en 2009/2010, será especialmente problemático. A partir de este punto el futuro se vuelve borroso.

Respecto a los problemas que surgen con las máscaras (o fotolitos), AMD está trabajando codo con codo con Du Pont para resolverlos.

Al igual que Intel, AMD ha confirmado que sus nuevos procesadores destacarán por sus características adicionales más que por sus velocidades más elevadas. Esto incluye soporte de memoria DDR-3, más caché, y más controladores en el chip.

Algunas ideas en las que está trabajando AMD incluyen transistores de K elevada, mejoras en los transistores de puerta metálica, EPI selectiva y mayor S>D, y un nuevo proceso de dopado.

El próximo chip de AMD no usará transistores de K elevada, y la nueva puerta metálica es muy reciente; pero la EPI selectiva y la mayor S>D sí serán empleadas. Por otro lado, ciertas mejoras en el uso de capas forzadas (capa de estructura cristalina diferente a la inferior, la cual se deforma para adaptarse a ésta) parecen prometedoras.

En lo que respecta al uso de cobre para las interconexiones, los retos siguen siendo conseguir fiabilidad y buen rendimiento de fabricación con tecnologías de menor tamaño.