Rambus, un desarrollador de interfaces para memorias, mostró los primeros prototipos de memoria XDR DRAM plenamente funcionales en el Intel Development Forum. Aunque todavía queda por ver si la industria probará de nuevo con Rambus tras el fiasco de la RDRAM, la demostración muestra a las claras que su tecnología está lo suficientemente madura como para ser mostrada e implementada.

La nueva topología de conexión de la memoria XDR mediante conexiones punto a punto basadas en transmisión diferencial permite alcanzar velocidades de varios gigahertzios. Por su parte, los buses de direccionamiento y las señales de control permiten direccionar desde 1 hasta 36 dispositivos DRAM de entre 256Mb y 8Gb.

"En el momento en que la velocidad de la memoria supera la barrera del gigahertzio, el trazado de los buses de datos en sistemas con varios módulos de memoria actualizables se convierte en todo un reto" explicó Rich Warmke, director de marketing de Rambus.

Una parte fundamental de la DRAM XDR es la tecnología Dynamic Point-to-Point (DPP), que permite aumentar la capacidad del sistema sin efectos adversos en el rendimiento y sin la necesidad de reducir la velocidad de reloj del subsistema de memoria.

Cada módulo XDIMM ofrece hasta 12'8GB/seg trabajando a una frecuencia de 3'20GHz. En modo dual-channel puede ofrecer el doble de ancho de banda. En el futuro se alcanzarán los 25'6GB/s por módulo, cuando se suba la frecuencia hasta los 6'40GHz.

Toshiba ha estado probando módulos XDR de 512Mb a 3'20GHz desde finales de 2003, y está en camino de desarrollarlo en 2005 o 2006. Se espera que la PlayStation 3 de Sony use memoria DRAM XDR.

Los XDIMM precisan de PCBs de 6 u 8 capas, tienen un tamaño de 5'25x1'375 pulgadas y no usan la infraestructura RIMM, sino un conector de 232 pines.