Samsung Electronics, el principal fabricante de memoria RAM, confirmó que ha creado el primer chip de memoria de 512Mb que cumple el próximo estándar de memorias DDR3, y que trabaja a 1066MHz. La empresa afirma que la nueva memoria podría llegar al mercado en 2006.

El prototipo de Samsung, de 512Mbits de capacidad, trabaja a 1'5V y transfiere datos a una tasa de 1066Mbps. Samsung afirma que la memoria DDR3 se fabricará con tecnología de 80nm, frente a los 90nm de la DDR y DDR2 actuales.

Además de las ventajas que ya incorporaba la DDR2 sobre la DDR original (como terminación integrada, prefetch de 4 bits y registros ampliados), la DDR3 incluye autocalibración y sincronización de datos.

Samsung cita un estudio de mercado de IDC al decir que los primeros chips DDR3 se venderán en 2006, y que dicha memoria supondrá el 65% del mercado de DRAM en 2009. Respecto a ésto, los planes iniciales de Intel para esta memoria comprenden incluirla en sus diseños en 2007.

Samsung Electronics fueron los primeros en fabricar memoria DDR y DDR2 en 1998 y 2001 respectivamente.