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Samsung prepara productos basados en FB-DIMM
Enviado el 15/12/04 a las 02:00 por noticias

Agalisa

Samsung Electronics, el principal fabricante de memoria del mundo, anunció recientemente la nueva generación de módulos, uno de 1GB con "buferizado total" ("fully buffered") y Dual-In-Line, basado en tecnología DDR2. La producción en grandes cantidades comenzará en 2005.

"Samsung forma parte del esfuerzo de la industria por ofrecer mayor rendimiento a los sistemas actuales. Estamos convencidos de que nuestra tecnología FB-DIMM será adoptada por el resto del mercado de memoria y se convertirá en el más usado" comentó Jon Kang, vicepresidente senior de Samsung Semiconductor.

FB-DIMM, un nuevo diseño que resuelve el problema del rendimiento limitado de los DIMMs con registros convencionales, aumentará notablemente la densidad y ancho de banda de la memoria. Actualmente, la tasa de acceso a memoria por cada slot disminuye a medida que la velocidad del bus aumenta, lo que resulta en una densidad limitada. Los FB-DIMM resuelven este problema sustituyendo el "bus tonto" por enlaces punto a punto (de ahí el nombre de "buferizado total": los actuales DIMMs con buffers sólo ponen éstos entre un DIMM y otro, pero los chips de cada DIMM se conectan a un "bus común tonto". En éstos, todas las conexiones son punto a punto).

Fuente: X-bit labs (en inglés).


 
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